第一電路設計。讓
mos管工作在線性工作狀態(tài)，而不是開關狀態(tài)。如果用N-mos做開關，G電平電壓要比電源高幾V才能完全導通，P-mos則相反。不完全打開導致壓降過大導致功耗，等效DC阻抗比較大，壓降增大，所以U*I也增大，損耗就是發(fā)熱。
第二，工作頻率。這是調(diào)試過程中常見的現(xiàn)象，降頻主要是兩個方面造成的。輸入電壓與負載電壓之比小，系統(tǒng)干擾大。對于前者，請注意不要將負載電壓設置得太高，盡管負載電壓高時效率會更高。對于后者，可以嘗試以下幾個方面:
1.將最小電流設置為較小的值。
2.清潔布線，尤其是關鍵的傳感路徑。
3.選擇電感的小點或閉合磁路的電感。
4.加RC低通濾波器，這個效果有點差，C的一致性也不好，偏差有點大，不過應該夠照明了。無論如何，降頻沒有好處，只有壞處，所以必須解決。
有時候mos管的頻率太高，主要是對體積的過分追求，導致頻率增加，mos管上的損耗增加，所以發(fā)熱也增加。
第三，散熱設計。電路板散熱設計不好，電流過大。mos管的標稱電流值一般需要散熱好。因此，如果ID小于額定電流，則熱量可能嚴重，需要足夠的輔助散熱器。
那么今天的講解就先到這里了，以上就是今天的全部內(nèi)容，相信大家對mos管發(fā)熱異常的原因也有了一定的認識。非常感謝您的耐心閱讀。如還想了解更多關于
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