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鼎堅

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銳駿低壓mos的選型

低壓MOSFET快速替代的時候遵循以下5點：

1，匹配封裝

2，溝道類型（NMOS、PMOS）

3，電壓Vds

4，內(nèi)阻RDS(on)-----要注意在同樣的VGS(TH)測試條件下對比

5，閥值電壓VGS(TH)

6，匹配柵極電荷量Qg，或者電容Ciss,Coss,Crss（會影響開關(guān)損耗）-----低壓MOS對此類參數(shù)要求并不高，如果客戶應(yīng)用開關(guān)頻率較高，需要確認(rèn)開關(guān)速度越快優(yōu)點是開關(guān)損耗越小，效率高，溫升低。對應(yīng)的缺點是EMI特性差，MOSFET關(guān)斷尖峰過高

以下是MOSFET主要參數(shù)：

VDS：漏源電壓（VDSS）Drain to Source Voltage DS未發(fā)生擊穿前所能施加的最大電壓。VDS一定要留余量，為了考慮低溫時，和惡劣條件下開關(guān)機(jī)的VDS電壓尖峰。

ID：連續(xù)電流 Continuous Drain Current 漏源最大單脈沖電流，也稱連續(xù)電流。條件是在最大額定結(jié)溫TJ(max)下，管表面溫度在25℃或者更高，溫度下，ID會隨溫度的升高而降低

VGS 柵漏電壓 Gate to Source Voltage 最大GS電壓. 指在GS兩極間可以放加的最大電壓。

VGS(th) 開啟電壓 Gate threshold voltage 這個電壓是指MOS管中開始形成導(dǎo)電溝道所需要的GS之間的電壓，標(biāo)記為Vgs(th)，一般N-MOSFET的話，這個電壓一般是2-4V之間。

Rds(on) 導(dǎo)通電阻 Drain to source on state resistance 越小越好，直接決定MOSFET的導(dǎo)通損耗，Tj增加Rds(on)增大，即是正溫度系數(shù)

PD 最大耗散功率 Total power dissipation 越大越好

Tj 最大工作結(jié)溫 通常為150度和175度

Fm 最高工作頻率 最高工作頻率,當(dāng)工作頻率超過某一值時，它的單向?qū)щ娦宰儾?。肖特基的Fm值較高，最大可達(dá)100GHz。

Trr 反向恢復(fù)時間 當(dāng)工作電壓從正向電壓變成反向電壓時，二極管工作的理想情況是電流能瞬時截止。實際一般要延遲一點時間，決定電流截止延時的量，就是反向恢復(fù)時間。這個值不一定小就好，要合適。

Qg 柵極總充電電量 Total gate charge

Ciss 輸入電容 Input capacitance 輸入電容 =Cgs+Cgd ，該參數(shù)影響到MOSFET的開關(guān)時間，Ciss越大，同樣驅(qū)動能力下，開通及關(guān)斷時間就越慢，開關(guān)損耗也就越大，這也是在電源電路中要加加速電路的原因，但較慢的開關(guān)速度對應(yīng)的會帶來較好的EMI特性

Coss 輸出電容 Output capacitance 輸入電容 =Cds+Cgd

Crss 反向傳輸電容 Reverse transfer capacitance 反向傳輸電容 =Cgd（米勒電容），影響漏極有異常高電壓時，傳輸?shù)組OSFET柵極電壓能量的大小，會對雷擊測試項目有一定影響

Trench MOSFET
N-MOSFET Catalog (VDS:N40V-N55V)
Part NO. Channel ESD Diode (Y/N) VDSS(V) VTH(V) IDS(A)@TA=25℃ RDS(ON)(mΩ)Typ.at VGS= Package
10V 4.5V 2.5V
RU3560L N N 40 1.5-2.5 50 13 18 　 TO-252
RU4090L N N 40 2-4 90 4 　 　 TO-252
RU4030M2 N N 40 1-2.5 30 11 14 　 DFN3333
RU40120R N N 40 2-4 120 3.5 　 　 TO-220
RU40120M N N 40 2-4 120 2.7 　 　 DFN5060
RU40120S N N 40 2-4 120 3.5 　 　 TO-263
RU40150R N N 40 2-4 150 3 　 　 TO-220
RU40190R N N 40 2-4 190 2.5 　 　 TO-220
RU40191S N N 40 2-4 190 1.8 　 　 TO-263
RU55110R N N 55 2-4 110 5 　 　 TO-220
Trench MOSFET
N-MOSFET Catalog (VDS:N60V-N68V)
Part NO. Channel ESD Diode (Y/N) VDSS(V) VTH(V) IDS(A)@TA=25℃ RDS(ON)(mΩ)Typ.at VGS= Package
10V 4.5V 2.5V
2N7002EB N Y 60 1.35 0.2 2500 2500 　 SOT23
RU60D5H Dual-N Y 60 1-2.5 5.4 32 40 　 SOP-8
RU60E16L N Y 60 1.5-2.7 16 60 75 　 TO-252
RU60E25L N Y 60 1.5-2.7 25 35 42 　 TO-252
RU602B N N 60 2-4 1.5 220 　 　 SOT23
RU60D10H Dual-N N 60 1-3 10 20 22 　 SOP-8
RU6035M3 N N 65 1-2.5 30 18 20 　 DFN3030
RU6050L N N 60 2-4 50 10 　 　 TO-252
RU6055L N N 60 2-4 60 10 　 　 TO-252
RU6888M N N 60 2-4 62 7 DFN5060
RU6070L-A N N 60 2-4 70 6 　 　 TO-252
RU6080L N N 60 2-4 80 7 　 　 TO-252
RU6085H N N 60 1-3 20 6 6.5 　 SOP-8
RU6099R N N 60 2-4 120 6 　 　 TO-220
RU6099S N N 60 2-4 120 6 　 　 TO-263
RU6199S N N 60 2-4 200 2.8 　 　 TO-263
RU6199R N N 60 2-4 200 2.8 　 　 TO-220
RU60200R N N 60 2-4 230 2.5 　 　 TO-220
RU6888R N N 68 2-4 88 6 　 　 TO-220
RU6888S N N 68 2-4 88 6 　 　 TO-263
Trench MOSFET
N-MOSFET Catalog (VDS:N70V-N85V)
Part NO. Channel ESD Diode (Y/N) VDSS(V) VTH(V) IDS(A)@TA=25℃ RDS(ON)(mΩ)Typ.at VGS= Package
10V 4.5V 2.5V
RU7080L N N 70 2-4 80 5.7 　 　 TO-252
RU7080R N N 70 2-4 80 7 　 　 TO-220
RU7080S N N 70 2-4 80 7 　 　 TO-263
RU7088R N N 70 2-4 80 6.5 　 　 TO-220
RU7570L N N 75 2-4 70 9 　 　 TO-252
RU75N08R N N 75 2-4 80 8 　 　 TO-220
RU75N08S-AR N N 75 2-4 80 8 　 　 TO-263
RU75N08L N N 75 2-4 80 8 　 　 TO-252
RU75110R N N 75 2-4 110 5.5 　 　 TO-220
RU75110S N N 75 2-4 110 5.5 　 　 TO-263
RU75230S N N 75 2-4 230 2.6 　 　 TO-263
RU7588R N N 80 2-4 80 7 　 　 TO-220
RU190N08R N N 80 2-4 190 3.9 　 　 TO-220
RU190N08S N N 80 2-4 190 3.9 　 　 TO-263
RU8590R N N 85 2-4 90 5.8 　 　 TO-220
RU8590S N N 85 2-4 90 5.8 　 　

TO-263

Trench MOSFET
N-MOSFET Catalog (VDS:N100V-N200V)
Part NO. Channel ESD Diode (Y/N) VDSS(V) VTH(V) IDS(A)@TA=25℃ RDS(ON)(mΩ)Typ.at VGS= Package
10V 4.5V 2.5V
RU1HE12L N Y 100 1.5-2.7 12 145 160 　 TO-252
RU1HE16L N Y 100 1.5-2.7 16 70 85 　 TO-252
RU1H35L N N 100 2-4 40 21 　 　 TO-252
RU1H35S N N 100 2-4 40 21 　 　 TO-263
RU1H35R N N 100 2-4 40 21 　 　 TO-220
RU3710S N N 100 2-4 60 14 　 　 TO-263
RU3710R N N 100 2-4 60 14 　 　 TO-220
RU1H180R N N 100 2-4 180 4.5 　 　 TO-220

分享到：
Trench MOSFET
P-MOSFET Catalog
Part NO. Channel ESD Diode (Y/N) VDSS(V) VTH(V) IDS(A)@TA=25℃RDS(ON)(mΩ)Typ.at VGS= Package
-10V -4.5V -2.5V
RU3415EB P Y -20 -1--0.4 -4 　 38 50 SOT23
RU20P7C P N -20 -1.1--0.4 -5 　 20 30 SOT23-3
RU20P7C6 P N -20 -1.1--0.4 -5 　 20 30 SOT23-6
RU20P17M2 P N -20 -1.1--0.4 -9.3 　 16 28 DFN3333
RU20P3B P N -20 -1--0.5 -3 　 80 110 SOT23
Trench MOSFET
N-MOSFET Catalog (VDS:N40V-N55V)
Part NO. Channel ESD Diode (Y/N) VDSS(V) VTH(V) IDS(A)@TA=25℃ RDS(ON)(mΩ)Typ.at VGS= Package
10V 4.5V 2.5V
RU3560L N N 40 1.5-2.5 50 13 18 　 TO-252
RU4090L N N 40 2-4 90 4 　 　 TO-252
RU4030M2 N N 40 1-2.5 30 11 14 　 DFN3333
RU40120R N N 40 2-4 120 3.5 　 　 TO-220
RU40120M N N 40 2-4 120 2.7 　 　 DFN5060
RU40120S N N 40 2-4 120 3.5 　 　 TO-263
RU40150R N N 40 2-4 150 3 　 　 TO-220
RU40190R N N 40 2-4 190 2.5 　 　 TO-220
RU40191S N N 40 2-4 190 1.8 　 　 TO-263
RU55110R N N 55 2-4 110 5 　 　 TO-220
Trench MOSFET
N-MOSFET Catalog (VDS:N60V-N68V)
Part NO. Channel ESD Diode (Y/N) VDSS(V) VTH(V) IDS(A)@TA=25℃ RDS(ON)(mΩ)Typ.at VGS= Package
10V 4.5V 2.5V
2N7002EB N Y 60 1.35 0.2 2500 2500 　 SOT23
RU60D5H Dual-N Y 60 1-2.5 5.4 32 40 　 SOP-8
RU60E16L N Y 60 1.5-2.7 16 60 75 　 TO-252
RU60E25L N Y 60 1.5-2.7 25 35 42 　 TO-252
RU602B N N 60 2-4 1.5 220 　 　 SOT23
RU60D10H Dual-N N 60 1-3 10 20 22 　 SOP-8
RU6035M3 N N 65 1-2.5 30 18 20 　 DFN3030
RU6050L N N 60 2-4 50 10 　 　 TO-252
RU6055L N N 60 2-4 60 10 　 　 TO-252
RU6888M N N 60 2-4 62 7 DFN5060
RU6070L-A N N 60 2-4 70 6 　 　 TO-252
RU6080L N N 60 2-4 80 7 　 　 TO-252
RU6085H N N 60 1-3 20 6 6.5 　 SOP-8
RU6099R N N 60 2-4 120 6 　 　 TO-220
RU6099S N N 60 2-4 120 6 　 　 TO-263
RU6199S N N 60 2-4 200 2.8 　 　 TO-263
RU6199R N N 60 2-4 200 2.8 　 　 TO-220
RU60200R N N 60 2-4 230 2.5 　 　 TO-220
RU6888R N N 68 2-4 88 6 　 　 TO-220
RU6888S N N 68 2-4 88 6 　 　 TO-263
Trench MOSFET
N-MOSFET Catalog (VDS:N70V-N85V)
Part NO. Channel ESD Diode (Y/N) VDSS(V) VTH(V) IDS(A)@TA=25℃ RDS(ON)(mΩ)Typ.at VGS= Package
10V 4.5V 2.5V
RU7080L N N 70 2-4 80 5.7 　 　 TO-252
RU7080R N N 70 2-4 80 7 　 　 TO-220
RU7080S N N 70 2-4 80 7 　 　 TO-263
RU7088R N N 70 2-4 80 6.5 　 　 TO-220
RU7570L N N 75 2-4 70 9 　 　 TO-252
RU75N08R N N 75 2-4 80 8 　 　 TO-220
RU75N08S-AR N N 75 2-4 80 8 　 　 TO-263
RU75N08L N N 75 2-4 80 8 　 　 TO-252
RU75110R N N 75 2-4 110 5.5 　 　 TO-220
RU75110S N N 75 2-4 110 5.5 　 　 TO-263
RU75230S N N 75 2-4 230 2.6 　 　 TO-263
RU7588R N N 80 2-4 80 7 　 　 TO-220
RU190N08R N N 80 2-4 190 3.9 　 　 TO-220
RU190N08S N N 80 2-4 190 3.9 　 　 TO-263
RU8590R N N 85 2-4 90 5.8 　 　 TO-220
RU8590S N N 85 2-4 90 5.8 　 　

TO-263

Trench MOSFET
N-MOSFET Catalog (VDS:N100V-N200V)
Part NO. Channel ESD Diode (Y/N) VDSS(V) VTH(V) IDS(A)@TA=25℃ RDS(ON)(mΩ)Typ.at VGS= Package
10V 4.5V 2.5V
RU1HE12L N Y 100 1.5-2.7 12 145 160 　 TO-252
RU1HE16L N Y 100 1.5-2.7 16 70 85 　 TO-252
RU1H35L N N 100 2-4 40 21 　 　 TO-252
RU1H35S N N 100 2-4 40 21 　 　 TO-263
RU1H35R N N 100 2-4 40 21 　 　 TO-220
RU3710S N N 100 2-4 60 14 　 　 TO-263
RU3710R N N 100 2-4 60 14 　 　 TO-220
RU1H180R N N 100 2-4 180 4.5 　 　 TO-220

        
				Trench MOSFET
        
				P-MOSFET Catalog
        Part NO.
				Channel
				ESD Diode (Y/N)
				VDSS(V)
				VTH(V)
				IDS(A)@TA=25℃RDS(ON)(mΩ)Typ.at VGS=
				Package
        
				-10V
				-4.5V
				-2.5V
        
				RU3415EB
				P
				Y
				-20
				-1--0.4
				-4
				　
				38
				50
				SOT23
        
				RU20P7C
				P
				N
				-20
				-1.1--0.4
				-5
				　
				20
				30
				SOT23-3
        
				RU20P7C6
				P
				N
				-20
				-1.1--0.4
				-5
				　
				20
				30
				SOT23-6
        
				RU20P17M2
				P
				N
				-20
				-1.1--0.4
				-9.3
				　
				16
				28
				DFN3333
        
				RU20P3B
				P
				N
				-20
				-1--0.5
				-3
				　
				80
				110
				SOT23