目前MOS工藝主要分為三類：Trench MOSFET / High-Performance-Advanced Trench MOSFET / Super Junction MOSFET

1 Trench MOSFET： 溝槽工藝，具有導(dǎo)通電阻小，寄生電容小，開關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)。

2 High-Performance-Advanced Trench MOSFET： SGT工藝，是屏蔽溝槽工藝，屏蔽深溝槽工藝，這個(gè)是基于傳統(tǒng)溝槽式 MOSFET（U-MOSFET）的一種改進(jìn)型的溝槽式功率 MOSFET。相比于傳統(tǒng) U-MOSFET 功率器件，它的開關(guān)速度更快，開關(guān)損耗更低，具有更好的器件性能。

3 Super-Junction MOSFET：超結(jié)MOSFET，具有更低的通態(tài)阻抗，更低的傳導(dǎo)損耗，更低的開啟電壓，更快的開關(guān)速度，更低的柵極電荷Qg等。它的缺點(diǎn)，在開關(guān)電源系統(tǒng)應(yīng)用會(huì)出現(xiàn)EMI可能超標(biāo)；柵極震蕩；抗浪涌及耐壓能力差；漏源極電壓尖峰比較大等等。