MOS管，是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）。

1.根據(jù)控制方式選擇使用Pmos或Nmos.

2.在選型時我們最先看的是VDSS最大漏-源電壓 能夠承受的最高的 施加電壓 這個電壓也決定了每次在電路里面選擇它施加的電壓等級，也就是我們常說的VDSS等級 。從成本角度考慮，還需要確定所需的額定電壓，即器件所能承受的最大電壓。根據(jù)實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)，額定電壓應(yīng)當(dāng)大于干線電壓或總線電壓，一般會留出1.2~1.5倍的電壓余量，這樣才能提供足夠的保護(hù)，使MOS管不會失效。就選擇MOS管而言，必須確定漏極至源極間可能承受的最大電壓，即最大VDS。由于MOS管所能承受的最大電壓會隨溫度變化而變化，設(shè)計(jì)人員必須在整個工作溫度范圍內(nèi)測試電壓的變化范圍。額定電壓必須有足夠的余量覆蓋這個變化范圍，確保電路不會失效。此外，設(shè)計(jì)工程師還需要考慮其他安全因素：如由開關(guān)電子設(shè)備(常見有電機(jī)或變壓器)誘發(fā)的電壓瞬變。另外，不同應(yīng)用的額定電壓也有所不同；通常便攜式設(shè)備選用20V的MOS管，F(xiàn)PGA電源為20～30V的MOS管，85～220V AC因?yàn)檎骱笫?10V,再加上反向電壓，MOS管VDS應(yīng)選為450～700V。

如下圖：

2.連續(xù)漏電流 這個電流定義在一個額定的結(jié)溫 下 它連續(xù)能夠通過的最大 直流電流 這兩個參數(shù)就決定了 MOS管的應(yīng)用場合 所以現(xiàn)在的MOS管的話 我們參數(shù)基本上看 連續(xù)的漏電流 以及最大的漏源電壓。

3.mos的結(jié)電容。這個直接決定你芯片的輸出損耗，如果輸入過大，芯片可能會發(fā)熱嚴(yán)重。