肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士命名的，SBD是肖特基勢壘管（SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD）的簡稱。SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的，而是利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的金屬－半導(dǎo)體結(jié)原理制作的。那么下來帶大家了解一下肖特基二極管的原理。
肖特基二極管是貴金屬（金、銀、鋁、鉑等）A為正極，以N型半導(dǎo)體B為負(fù)極，利用兩者接觸面上形成的勢壘具有整流器特性而做成的金屬-半導(dǎo)體器件。因?yàn)镹型半導(dǎo)體中存在著大量的電子，貴金屬中僅有少量的自由電荷，所以電子便從濃度值高的B中向濃度值低的A中擴(kuò)散。顯然，金屬A中沒有空穴，也就不會有空穴自A向B的擴(kuò)散運(yùn)動。
隨著電子不斷從B擴(kuò)散到A，B表面電子濃度值慢慢降低，表面電中性被破壞，因此就形成勢壘，其電場方向?yàn)锽→A。但在該電場作用下，A中的電子也會產(chǎn)生從A→B的飄移運(yùn)動，進(jìn)而消弱了由于擴(kuò)散運(yùn)動而形成的電場。當(dāng)創(chuàng)建起一定寬度的空間電荷區(qū)后，電場引起的電子漂移運(yùn)動和濃度值不同引起的電子擴(kuò)散運(yùn)動達(dá)到相對的平衡，便形成了肖特基勢壘。
典型的肖特基整流管的內(nèi)部電源電路結(jié)構(gòu)是以N型半導(dǎo)體為基片，在上面形成用砷作摻雜劑的N-外延層。陽極使用鉬或鋁等材料做成阻檔層。用二氧化硅（SiO2）來清除邊沿區(qū)域的電場，提高管子的耐壓值。N型基片具有很小的通態(tài)電阻，其摻雜濃度值較H-層要高100%倍。在基片下邊形成N+陰極層，其作用是減小陰極的接觸電阻
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