碳化硅二極管是一種適用于功率半導(dǎo)體的革命性材料，其物理屬性遠(yuǎn)遠(yuǎn)優(yōu)于硅功率器件。重要特點(diǎn)包含榜樣性的電源開(kāi)關(guān)特性、沒(méi)有反向恢復(fù)電流量、溫度基本上不容易危害電源開(kāi)關(guān)個(gè)人行為和規(guī)范操作溫度范疇為-55℃至175℃。碳化硅肖特基二極管（SiCSBD）的器件選用了斷勢(shì)壘肖特基二極管構(gòu)造（JBS），能夠合理減少反方向泄露電流，具有更強(qiáng)的耐髙壓工作能力。
碳化硅二極管是一種單極型器件，因而對(duì)比于傳統(tǒng)式的硅快修復(fù)二極管（SiFRD），碳化硅二極管具備理想化的反向恢復(fù)特點(diǎn)。在器件從正指導(dǎo)通往反方向阻隔變換時(shí)，基本上沒(méi)有反向恢復(fù)電，反向恢復(fù)時(shí)間低于20ns，乃至600V10A的碳化硅二極管的反向恢復(fù)時(shí)間在10ns之內(nèi)。因而碳化硅二極管能夠工作中在高些的頻率，在同樣頻率下具備高些的高效率。另一個(gè)關(guān)鍵的特性是碳化硅二極管具備正的溫度系數(shù)，伴隨著溫度的升高電阻器也慢慢升高，這與硅FRD恰好反過(guò)來(lái)。這促使碳化硅二極管特別適合串聯(lián)好用，提升了系統(tǒng)軟件的安全系數(shù)和可信性。
碳化硅二極管是髙壓迅速與低輸出功率耗損、耐熱緊密結(jié)合的理想化器件?，F(xiàn)階段國(guó)際性上陸續(xù)研制水準(zhǔn)較高的多類型的碳化硅器件。SICSBD做為零修復(fù)二極管，對(duì)高頻率輸出功率電源電路有非常大改進(jìn)。碳化硅二極管與眾不同的高溫特點(diǎn)使其在高溫自然環(huán)境的輸出功率運(yùn)用中具備潛在性優(yōu)點(diǎn)。碳化硅二極管因髙速trr而使開(kāi)關(guān)損耗減少，加上VF的改進(jìn)，在輸出功率二極管中能夠說(shuō)成耗損最少的二極管。碳化硅二極管因VF減少，而完成更低通斷耗損。順向特點(diǎn)數(shù)據(jù)圖表的鮮紅色波型是第一代SiC-SBD，深藍(lán)色是第二代，可確定VF的減少。
碳化硅二極管的各類性能指標(biāo)均優(yōu)于一般雙極二極管技術(shù)性。碳化硅二極管通斷與關(guān)閉情況的變換速率十分快，并且沒(méi)有一般雙極二極管技術(shù)性電源開(kāi)關(guān)時(shí)的反向恢復(fù)電流量。在清除反向恢復(fù)電流量效用后，碳化硅二極管的耗能減少70%，可以在寬溫度范圍內(nèi)維持高能耗等級(jí)，并提升設(shè)計(jì)方案工作人員優(yōu)化軟件輸出功率的協(xié)調(diào)能力。
上述所講解的就是
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