肖特基二極管通稱SBD，它并不是運(yùn)用PN結(jié)基本原理制做的，它是以金屬材料為正級(jí)，以N型半導(dǎo)體為負(fù)級(jí)，運(yùn)用二者表面上產(chǎn)生的勢(shì)壘具備整流器特點(diǎn)而做成的一種半導(dǎo)體元器件，是一種熱載流子二極管，肖特基二極管在電源電路中主要是作整流二極管、續(xù)流二極管、維護(hù)二極管等，關(guān)鍵用在低壓、大電流量的電源電路中，如電源變壓器、軟啟動(dòng)器、逆變電源、光纖通信。 肖特基二極管是貴重金屬（金、銀、鋁、鉑等）A為正級(jí)，以N型半導(dǎo)體B為負(fù)級(jí)，運(yùn)用二者表面上產(chǎn)生的勢(shì)壘具備整流器特點(diǎn)而做成的金屬材料-半導(dǎo)體元器件。由于N型半導(dǎo)體中存有著很多的電子器件，貴重金屬中僅有少量的自由電荷，因此 電子器件便從濃度值高的B中往濃度值低的A中外擴(kuò)散。
顯而易見，金屬材料A中沒有空化，也就不會(huì)有空化自A向B的外擴(kuò)散健身運(yùn)動(dòng)。伴隨著電子器件持續(xù)從B外擴(kuò)散到A，B表層電子器件濃度值慢慢減少，表層電荷平衡被毀壞，因此就產(chǎn)生勢(shì)壘，其電場(chǎng)方向?yàn)锽→A。但在該靜電場(chǎng)功效之中，A中的電子器件也會(huì)造成從A→B的飄移健身運(yùn)動(dòng)，進(jìn)而消弱了因?yàn)橥鈹U(kuò)散健身運(yùn)動(dòng)而產(chǎn)生的靜電場(chǎng)。當(dāng)創(chuàng)建起一定總寬的空間電荷區(qū)后，靜電場(chǎng)造成的電子器件飄移健身運(yùn)動(dòng)和濃度值不一樣造成的電子器件外擴(kuò)散健身運(yùn)動(dòng)做到相對(duì)性的均衡，便產(chǎn)生了肖特基勢(shì)壘。
典型性的肖特基整流管的內(nèi)部電源電路構(gòu)造是以N型半導(dǎo)體為襯底，在上面產(chǎn)生用砷作摻雜劑的N-外延性層。陽極氧化應(yīng)用鉬或鋁等原材料做成阻檔層。用二氧化硅（SiO2）來清除邊沿地區(qū)的靜電場(chǎng)，提升水管的抗壓值。
N型襯底具備不大的通態(tài)電阻器，其夾雜濃度值較H-層要高100%倍。在襯底下面產(chǎn)生N+負(fù)極層，其功效是減少負(fù)極的回路電阻。根據(jù)優(yōu)化結(jié)構(gòu)主要參數(shù)，N型襯底和陽極氧化金屬材料中間便產(chǎn)生肖特基勢(shì)壘，如下圖所示。當(dāng)在肖特基勢(shì)壘兩邊再加順向偏壓（陽極氧化金屬材料插線正級(jí)，N型襯底插線負(fù)級(jí)）時(shí)，肖特基勢(shì)壘層變小，其內(nèi)電阻縮小；相反，若在肖特基勢(shì)壘兩邊再加反方向偏壓時(shí)，肖特基勢(shì)壘層則變大，其內(nèi)電阻增大。
上述所講解的就是
肖特基二極管咋電路中的應(yīng)用，希望看完能夠?qū)δ兴鶐椭?，如果您想要了解更多關(guān)于肖特基二極管的相關(guān)信息的話，歡迎在線咨詢客服或是撥打本公司服務(wù)熱線（網(wǎng)站右上角）進(jìn)行咨詢，我們將竭誠(chéng)為您提供優(yōu)質(zhì)的服務(wù)！
