碳化硅二極管比PN結(jié)元器件的個(gè)人行為特點(diǎn)更像一個(gè)理想化的電源開關(guān)。肖特基二極管最重要的2個(gè)性能參數(shù)便是它的低反向恢復(fù)正電荷(Qrr)和它的修復(fù)軟化系數(shù)。低Qrr在二極管工作電壓換為反方向參考點(diǎn)時(shí)，關(guān)掉過程中所需時(shí)間，即反向恢復(fù)時(shí)間trr大大縮短。下列列出肖特基二極管trr低于0.01彼此之間。有利于用以高頻率范疇，有材料詳細(xì)介紹其輸出功率達(dá)到1MHz(也是有報(bào)導(dǎo)達(dá)到100GHz)。高軟化系數(shù)會(huì)降低二極管關(guān)掉所造成的EMI噪音，減少調(diào)速實(shí)際操作影響。
碳化硅二極管還有一個(gè)比PN結(jié)元器件優(yōu)異的指標(biāo)值是正指導(dǎo)接電源放低，具備低的通斷耗損。碳化硅二極管也是有2個(gè)缺陷，一是反方向抗壓VR較低，一般僅有100V上下;二是反方向泄露電流IR很大。
碳化硅二極管是貴重金屬（金、銀、鋁、鉑等）A為正級，以N型半導(dǎo)體B為負(fù)級，運(yùn)用二者表面上產(chǎn)生的勢壘具備整流器特點(diǎn)而做成的金屬材料-半導(dǎo)體元器件。由于N型半導(dǎo)體中存有著很多的電子器件，貴重金屬中僅有少量的自由電荷，因此 電子器件便從濃度值高的B中往濃度值低的A中外擴(kuò)散。顯而易見，金屬材料A中沒有空化，也就不會(huì)有空化自A向B的外擴(kuò)散健身運(yùn)動(dòng)。伴隨著電子器件持續(xù)從B外擴(kuò)散到A，B表層電子器件濃度值慢慢減少，表層電荷平衡被毀壞，因此就產(chǎn)生勢壘，其電場方向?yàn)锽→A。但在該靜電場功效之中，A中的電子器件也會(huì)造成從A→B的飄移健身運(yùn)動(dòng)，進(jìn)而消弱了因?yàn)橥鈹U(kuò)散健身運(yùn)動(dòng)而產(chǎn)生的靜電場。當(dāng)創(chuàng)建起一定總寬的空間電荷區(qū)后，靜電場造成的電子器件飄移健身運(yùn)動(dòng)和濃度值不一樣造成的電子器件外擴(kuò)散健身運(yùn)動(dòng)做到相對性的均衡，便產(chǎn)生了肖特基勢壘。
典型性的肖特基整流管的內(nèi)部電源電路構(gòu)造是以N型半導(dǎo)體為襯底，在上面產(chǎn)生用砷作摻雜劑的N-外延性層。陽極氧化應(yīng)用鉬或鋁等原材料做成阻檔層。用二氧化硅（SiO2）來清除邊沿地區(qū)的靜電場，提升水管的抗壓值。N型襯底具備不大的通態(tài)電阻器，其夾雜濃度值較H-層要高100%倍。在襯底下面產(chǎn)生N+負(fù)極層，其功效是減少負(fù)極的回路電阻。根據(jù)優(yōu)化結(jié)構(gòu)主要參數(shù)，N型襯底和陽極氧化金屬材料中間便產(chǎn)生肖特基勢壘，如下圖所示。當(dāng)在肖特基勢壘兩邊再加順向偏壓（陽極氧化金屬材料插線正級，N型襯底插線負(fù)級）時(shí)，肖特基勢壘層變小，其內(nèi)電阻縮??；相反，若在肖特基勢壘兩邊再加反方向偏壓時(shí)，肖特基勢壘層則變大，其內(nèi)電阻增大。
上述所講解的就是
碳化硅二極管與肖特基整流管的原理區(qū)別，希望看完能夠?qū)δ兴鶐椭?，如果您想要了解更多關(guān)于碳化硅二極管的相關(guān)信息的話，歡迎在線咨詢客服或是撥打本公司服務(wù)熱線（網(wǎng)站右上角）進(jìn)行咨詢，我們將竭誠為您提供優(yōu)質(zhì)的服務(wù)！
