肖特基二極管是以其發(fā)明者肖特基博士的名字命名的，SBD是肖特基二極管(SBD)的簡稱。SBD不是利用P型半導體和N型半導體接觸形成PN結的原理，而是利用金屬-半導體接觸形成金屬-半導體結的原理。因此，SBD也被稱為金屬半導體(接觸)二極管或表面勢壘二極管，它是一種熱載流子二極管。

　　肖特基二極管是由貴金屬(金、銀、鋁、鉑等)制成的金屬半導體器件。)A作為正電極，N型半導體B作為負電極，并利用在兩者的接觸表面上形成的勢壘的整流特性。因為在N型半導體中有大量的電子，而在貴金屬中只有非常少量的自由電子，所以電子從高濃度的B擴散到低濃度的A。顯然，在金屬A中沒有空穴，因此沒有空穴從A到B的擴散運動。隨著電子繼續(xù)從B擴散到A，B表面上的電子濃度逐漸降低，表面的電中性被破壞，從而形成電場方向為B A的勢壘。然而，在該電場的作用下，A中的電子也將產(chǎn)生從A到B的漂移運動，從而削弱由擴散運動形成的電場。當建立一定寬度的空間電荷區(qū)時，電場引起的電子漂移運動和不同濃度引起的電子擴散運動達到相對平衡，從而形成肖特基勢壘。

　　典型的肖特基整流器的內(nèi)部電路結構基于N型半導體，在其上形成摻雜有砷的N外延層。陽極由鉬或鋁和其他材料制成，以形成阻擋層。二氧化硅(二氧化硅)用于消除邊緣區(qū)域的電場并提高管的耐壓性。該N型襯底具有非常小的導通電阻，并且其摻雜濃度比H層的摻雜濃度高100%。在襯底下面形成一個氮陰極層，以降低陰極的接觸電阻。如圖所示，通過調整結構參數(shù)，在N型襯底和陽極金屬之間形成肖特基勢壘。當正向偏置電壓施加到肖特基勢壘的兩端時(陽極金屬連接到電源的陽極，并且N型襯底連接到電源的陰極)，肖特基勢壘層變得更窄，并且其內(nèi)部電阻變得更小。另一方面，如果反向偏壓被施加到肖特基勢壘的兩端，肖特基勢壘層變寬，并且其內(nèi)部電阻變大。

　　肖特基整流管的結構原理與PN結整流管有很大不同。PN結整流管通常被稱為結整流管，而金屬半導管整流管被稱為肖特基整流管。用硅平面工藝制造的鋁硅肖特基二極管也已問世，它不僅可以節(jié)約貴金屬，大大降低成本，還可以提高參數(shù)的一致性。

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