與PN結(jié)器件相比，碳化硅二極管更像是一種理想的開關(guān)。肖特基二極管最重要的兩個(gè)性能指標(biāo)是其低反向恢復(fù)電荷(Qrr)和恢復(fù)軟化系數(shù)。當(dāng)二極管電壓變?yōu)榉聪蚱脮r(shí)，低Qrr大大縮短了關(guān)斷過(guò)程所需的時(shí)間，即反向恢復(fù)時(shí)間trr。碳化硅二極管trr小于0.01微秒。它便于在高頻范圍內(nèi)使用。一些數(shù)據(jù)顯示，它的工作頻率可以達(dá)到1兆赫(一些報(bào)告也顯示，它可以達(dá)到100千兆赫)。高軟化系數(shù)將減少二極管關(guān)斷產(chǎn)生的電磁干擾噪聲，并減少換向操作干擾。碳化硅二極管還具有優(yōu)于PN結(jié)器件的優(yōu)勢(shì)，因?yàn)樗鼈兙哂械驼驅(qū)妷汉偷蛯?dǎo)通損耗。

　　碳化硅二極管是一種由貴金屬(金、銀、鋁、鉑等)制成的金屬半導(dǎo)體器件。)A作為正電極，N型半導(dǎo)體B作為負(fù)電極，并且使用在兩者的接觸表面上形成的阻擋層來(lái)具有整流特性。因?yàn)樵贜型半導(dǎo)體中有大量的電子，而在貴金屬中只有非常少量的自由電子，所以電子從高濃度的B擴(kuò)散到低濃度的A。顯然，在金屬A中沒(méi)有空穴，因此沒(méi)有空穴從A到B的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)。隨著電子繼續(xù)從B擴(kuò)散到A，B表面上的電子濃度逐漸降低，表面的電中性被破壞，從而形成電場(chǎng)方向?yàn)锽 A的勢(shì)壘。然而，在該電場(chǎng)的作用下，A中的電子也將產(chǎn)生從A到B的漂移運(yùn)動(dòng)，從而削弱由擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)形成的電場(chǎng)。當(dāng)建立一定寬度的空間電荷區(qū)時(shí)，電場(chǎng)引起的電子漂移運(yùn)動(dòng)和不同濃度引起的電子擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)達(dá)到相對(duì)平衡，從而形成肖特基勢(shì)壘。

　　典型的碳化硅二極管的內(nèi)部電路結(jié)構(gòu)基于N型半導(dǎo)體，在其上形成摻雜有砷的N外延層。陽(yáng)極由鉬或鋁和其他材料制成，以形成阻擋層。二氧化硅(二氧化硅)用于消除邊緣區(qū)域的電場(chǎng)并提高管的耐壓性。該N型襯底具有非常小的導(dǎo)通電阻，并且其摻雜濃度比H層的摻雜濃度高100%。在襯底下面形成一個(gè)氮陰極層，以降低陰極的接觸電阻。通過(guò)調(diào)整結(jié)構(gòu)參數(shù)，在N型襯底和陽(yáng)極金屬之間形成肖特基勢(shì)壘。當(dāng)正向偏置電壓施加到肖特基勢(shì)壘的兩端時(shí)(陽(yáng)極金屬連接到電源的陽(yáng)極，并且N型襯底連接到電源的陰極)，肖特基勢(shì)壘層變得更窄，并且其內(nèi)部電阻變得更小。另一方面，如果反向偏壓被施加到肖特基勢(shì)壘的兩端，肖特基勢(shì)壘層變寬，并且其內(nèi)部電阻變大。

　　上述所講解的就是碳化硅二極管的基本特征，希望看完能夠?qū)δ兴鶐椭绻胍私飧嚓P(guān)于碳化硅二極管的相關(guān)信息的話，歡迎在線咨詢客服或是撥打本公司服務(wù)熱線（網(wǎng)站右上角）進(jìn)行咨詢，我們將竭誠(chéng)為您提供優(yōu)質(zhì)的服務(wù)！