碳化硅早在1842年就被發(fā)覺(jué)了,但因其制取時(shí)的加工工藝難度系數(shù)大,而且元器件的產(chǎn)出率低,造成了價(jià)錢(qián)較高,這危害了它的運(yùn)用。直至1955年,生長(zhǎng)發(fā)育高質(zhì)量碳化硅的方式出現(xiàn)推動(dòng)了
碳化硅二極管原材料的發(fā)展趨勢(shì),在航空航天、航空公司、雷達(dá)探測(cè)和核能發(fā)電開(kāi)發(fā)設(shè)計(jì)的行業(yè)獲得運(yùn)用。80年代,產(chǎn)品化生產(chǎn)制造的SiC進(jìn)到銷(xiāo)售市場(chǎng),并運(yùn)用于原油地暖的勘查、變頻空調(diào)的開(kāi)發(fā)設(shè)計(jì)、平板電視機(jī)的運(yùn)用及其太陽(yáng)能發(fā)電轉(zhuǎn)換的行業(yè)。
碳化硅二極管的出現(xiàn)極大地改進(jìn)了集成電路工藝的特性,考慮社會(huì)經(jīng)濟(jì)和國(guó)防建設(shè)的必須,現(xiàn)階段,英國(guó)、法國(guó)、德國(guó)、日本國(guó)等資本主義國(guó)家正爭(zhēng)相資金投入重金對(duì)碳化硅原材料和元器件開(kāi)展科學(xué)研究。美國(guó)防部從二十世紀(jì)90年代就剛開(kāi)始適用碳化硅電力電子器件的科學(xué)研究,在1991年就取得成功科學(xué)研究出了阻隔工作電壓為400V的肖特基二極管。
碳化硅二極管于二十一世紀(jì)初變成第一例社會(huì)化的碳化硅電力工程電子元器件。英國(guó)Semisouth企業(yè)研發(fā)的SiCSBD(100A、600V、300℃下工作中)早已用在英國(guó)皇家空軍多電飛機(jī)場(chǎng)。由碳化硅SBD組成的功率模塊可在高溫、髙壓、強(qiáng)輻射源等極端標(biāo)準(zhǔn)下應(yīng)用。現(xiàn)階段反方向阻隔工作電壓達(dá)到1200V的產(chǎn)品系列,其額定電壓可做到20A。碳化硅SBD的產(chǎn)品研發(fā)早已做到髙壓元器件的水準(zhǔn),其阻隔工作電壓超出10000V,大電流量元器件通態(tài)電流量達(dá)130A的水準(zhǔn)。
碳化硅二極管的擊穿場(chǎng)強(qiáng)很高,電源開(kāi)關(guān)速率迅速,凈重很輕,而且容積不大,它在3KV之上的鎮(zhèn)流器主要用途更為具備優(yōu)點(diǎn)。2001年Cree企業(yè)研發(fā)出19.5KV的櫥柜臺(tái)面PiN二極管,同一階段日本國(guó)的Sugawara調(diào)研室也科學(xué)研究出了12KV的櫥柜臺(tái)面PiN二極管。2006年Cree企業(yè)報(bào)導(dǎo)了10KV、3.75V、50A的SiCPiN二極管,其10KV/20APiN二極管系列產(chǎn)品的達(dá)標(biāo)率早已做到40%。
上述所講解的就是
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