導(dǎo)語：綠星電子的功率元件可在各式電源與電機驅(qū)動應(yīng)用中實現(xiàn)更高的效率，功率密度和成本效益。 DG-FET?和SuperTrench?產(chǎn)品組合涵蓋20V至200V規(guī)格，可同時解決低開關(guān)頻率和高開關(guān)頻率問題。

DG-FET?介紹

現(xiàn)代科技對運算功率的需求日益增高，云端運算、物聯(lián)網(wǎng)及社交媒體等主流趨勢，更是發(fā)揮了推波助瀾的作用。能源消耗量因此大增，電源轉(zhuǎn)換鏈也因此需要更高的能源效率。

與傳統(tǒng)溝槽式MOS比較:

顛覆傳統(tǒng)MOSFET技術(shù)的DG-FET?是利用額外的多晶矽閘來達成電荷平衡。藉由電荷平衡的方式，將致使原本MOSFET的空乏區(qū)電 場由一維電荷變?yōu)橛啥S的電荷分布所決定。

因此其崩潰電壓將較傳統(tǒng)的溝槽式MOSFET為高。

若將DG-FET?與現(xiàn)今傳統(tǒng)的溝槽式MOSFET相比，為具有相同崩潰電壓之元件，但DG-FET?可以進一步降低磊晶層的阻值，因而可以獲得較低的導(dǎo)通阻抗.

另外，由于開關(guān)雜訊更低，因此采用DG-FET?技術(shù)也能有效大幅降低汲級電荷。

Silicongear DG-FET?與友商公司Trench關(guān)鍵參數(shù)MOSFET摘要

1 - MOSFET Gate 加2.2nF 測試啟機狀態(tài)次級驅(qū)動電壓：

總結(jié)：綠星MOSFET,DG-FET系列具有高速開關(guān)速度，業(yè)界優(yōu)異的Ron-Crss表現(xiàn)。

由于具有緩沖效應(yīng)，DG-FET系列可以抑制，比SuperTrench系列更有效地切換噪音和振鈴。RDS（on）導(dǎo)通電阻比其他同類元件至少降低50%，閘電荷（Qg）比其他裝置少50%。

DG-FET?和SuperTrench?產(chǎn)品組合涵蓋20V至200V規(guī)格，可同時解決低開關(guān)頻率和高開關(guān)頻率問題。