一、導(dǎo)通壓力下降VF。VF是二極管正向?qū)〞r二極管兩端的壓降，通過二極管的電流越大，VF越大的二極管溫度越高，VF越小?！ 《?、反飽和漏電流IR。IR是指在二極管兩端加入反向電壓時，流過二極管的電流，肖特基..
2020-11-07今天就來為大家講解一下肖特基二極管的應(yīng)用及優(yōu)點?！ ∫?、應(yīng)用 肖特基二極管的結(jié)構(gòu)和特性使其適用于低壓大電流輸出場合的高頻整流，甚高頻(如X波段、C波段、S波段、Ku波段)的檢測和混頻，以及高速邏輯電路..
2020-10-27今天我們就一起來講解一下肖特基二極管的優(yōu)點。 一、由于肖特基勢壘高度低于PN結(jié)勢壘高度，其正向?qū)ㄩT限電壓及正向壓降均小于PN結(jié)二極管(約低0.2V)?！ 《?、由于肖特基二極管是一種多載流子導(dǎo)電器件，因此..
2020-10-21今天就為大家講解一下碳化硅二極管的應(yīng)用領(lǐng)域及優(yōu)勢?！ ∫弧⑻柲苣孀兤??！ √蓟瓒O管是太陽能發(fā)電用二極管的基本原材料，碳化硅二極管在各項技術(shù)指標上都優(yōu)于普通雙極二極管技術(shù)。碳化硅二極管的通斷狀態(tài)切換速度..
2020-10-15CoolMOS的使用是一個趨勢，因為平面MOS已經(jīng)不能滿足電源的效率溫度等需求。CoolMOS的應(yīng)用優(yōu)勢1.導(dǎo)通阻抗小，導(dǎo)通損耗小由于SJ-MOS的Rdson遠遠低于VDMOS，在系統(tǒng)電源類產(chǎn)品中SJ-MOS的..
2020-10-08肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士命名的，SBD是肖特基勢壘管（SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD）的簡稱。SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的，而是利用金屬與半..
2020-09-30Coolmos過EMI電磁干擾的控制手段SEMIHOW利用多層外延工藝實現(xiàn)的COOLMOS產(chǎn)品助力工程師對產(chǎn)品的小型化設(shè)計,并解決EMI,EMC測試不好通過的問題。多層外延工藝，通過優(yōu)化內(nèi)部的電容和電阻來減少E..
2020-09-28SemiHow的總部位于韓國，擁有先進的半導(dǎo)體技術(shù)，基于中國和中國先進半導(dǎo)體技術(shù)的高質(zhì)量生產(chǎn)。以中國公司的牢固合作伙伴關(guān)系為基礎(chǔ)。具有獨特競爭能力，并且主要專注于中國市場。為了得到快速響應(yīng)，coolMOS產(chǎn)品選..
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