在半導(dǎo)體領(lǐng)域，臺積電、三星這幾年在新工藝方面非常激進，相繼推出10nm、7nm等先進制程。日前，臺積電在官方博客宣布，截止到今年7月，臺積電已生產(chǎn)了第10億顆功能完好、沒有缺陷的7nm芯片，是該公司新的里程碑。..
2020-08-21碳化硅二極管是一種適用于功率半導(dǎo)體的革命性材料，其物理屬性遠遠優(yōu)于硅功率器件。重要特點包含榜樣性的電源開關(guān)特性、沒有反向恢復(fù)電流量、溫度基本上不容易危害電源開關(guān)個人行為和規(guī)范操作溫度范疇為-55℃至175℃..
2020-08-18肖特基二極管是一種快修復(fù)二極管，它屬一種功耗、快速半導(dǎo)體元器件。其明顯的特性為反向恢復(fù)時間非常短(能夠小到幾納秒)，正指導(dǎo)通壓力降僅0.4V上下。肖特基二極管多作為高頻率、底壓、大電流量整流二極管、續(xù)流二極..
2020-08-11VDSS,30VRDS(ON),5.4mΩ(max.)@VGS=10VRDS(ON),8.2mΩ(max.)@VGS=4.5VID,50ANote3PDFN3.3x3.3-8LSG30N04E使用先進的Tren..
2020-08-10碳化硅二極管具有高抗壓、低損耗、效率高等特點，高頻率高溫，是同樣硅元器件抗壓的10倍，可以減少系統(tǒng)軟件規(guī)格和運作成本費。應(yīng)用SiC元器件會讓系統(tǒng)軟件成本費降低，特性明顯提高，而且因為降低了外場處于被動元器件..
2020-08-05RS1J與ES1J的區(qū)別RS1J是普通的快恢復(fù)，ES1J是超快恢復(fù)，恢復(fù)時間差的比較大。虹揚ES1J的TRR反向恢復(fù)時間是35ns虹揚RS1J的TRR反向恢復(fù)時間是250ns電流電壓均為1A600V的快恢復(fù)二極..
2020-08-05穩(wěn)壓二極管的簡單測試方法：這類方式只需一塊數(shù)字萬用表就可以，方式是：將數(shù)字萬用表放置Rx15k擋，并精確調(diào)零。紅直流電流表接被測穩(wěn)壓極管的正級，黑直流電流表接被測管的負級，待表針擺到一定部位時，從數(shù)字萬用表..
2020-07-28一般大伙兒常用的基本都是以硅為原材料的二極管，可是近期較為受歡迎的碳化硅二極管是用碳化硅為原材料的二極管?，F(xiàn)階段普遍的多見髙壓的肖特基碳化硅二極管，其優(yōu)勢：反向恢復(fù)特點非常好，匹敵肖特基硅二極管?？墒悄軌蜃?.
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