SGBJ系列三相橋式整流橋堆以其高效整流能力、高耐壓與大電流、高浪涌電流承受能力、寬溫度工作范圍、低功耗設(shè)計(jì)、薄型單列直插封裝、高品質(zhì)與可靠性以及廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域等特點(diǎn)在電力電子設(shè)備領(lǐng)域占據(jù)了重要地位。
2024-08-22由于晶圓制造和電路設(shè)計(jì)的復(fù)雜性，即使在同一批次的整流橋堆中，不同晶圓對浪涌電流的抵抗能力也可能存在差異。這種個(gè)體差異和隨機(jī)性也是導(dǎo)致有的晶圓出現(xiàn)裂痕而有的晶圓未出現(xiàn)裂痕的原因之一。
2024-08-20Semihow產(chǎn)品的主要優(yōu)勢體現(xiàn)在技術(shù)實(shí)力、產(chǎn)品線豐富性、性能優(yōu)勢、市場影響力與合作以及技術(shù)支持與服務(wù)等多個(gè)方面。這些優(yōu)勢共同構(gòu)成了Semihow在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的競爭優(yōu)勢。
2024-08-20功率器件代理商，美瑞電子的產(chǎn)品涵蓋IGBT單管和IGBT模塊，以滿足高功率和高集成度的應(yīng)用需求。
2024-08-20上海維安的 MOS 管 WMJ36N65F2、WMJ53N65F2 和 WMJ90N65SR 憑借其優(yōu)異的性能、可靠的質(zhì)量和多樣化的選擇。
2024-08-16提升MOSFET的功率密度，是MOSFET從業(yè)者孜孜不倦的追求。揚(yáng)杰科技 TO-Leadless（TOLL)MOSFET封裝經(jīng)過優(yōu)化，可處理高達(dá) 280A的電流，在大幅減少占 用空間的同時(shí)提高功率密度
2024-08-16MOSFET作為現(xiàn)代電子技術(shù)中的核心元件，具有廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域和重要的技術(shù)價(jià)值。隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步，MOSFET的性能將不斷提高，為電子設(shè)備的智能化、小型化和高效化提供有力支持。
2024-08-15平面MOS，VDMOS，即垂直雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，是一種重要的功率半導(dǎo)體器件。廣泛應(yīng)用于照明、充電器適配器、工業(yè)控制等領(lǐng)域。
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