Semihow超結(jié)MOSFET通過(guò)多層外延工藝和內(nèi)置ESD保護(hù)二極管等先進(jìn)技術(shù)，有效改善了EMI問(wèn)題。這種器件在高壓、大功率應(yīng)用中展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢(shì)，不僅提高了產(chǎn)品的性能和穩(wěn)定性，還滿(mǎn)足了現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)電磁兼容性的..
2024-08-15居林晶圓廠100%使用綠電并在運(yùn)營(yíng)實(shí)踐中采取先進(jìn)的節(jié)能和可持續(xù)舉措。新晶圓廠將進(jìn)一步鞏固和增強(qiáng)英飛凌在全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)地位。
2024-08-09銳駿半導(dǎo)體后續(xù)封測(cè)產(chǎn)能將會(huì)以?？诰C保區(qū)封測(cè)基地為主，目前正在將深圳寶安封測(cè)基地部分設(shè)備搬運(yùn)過(guò)來(lái)，產(chǎn)線規(guī)劃作出戰(zhàn)略調(diào)整，這就導(dǎo)致日前網(wǎng)絡(luò)出現(xiàn)銳駿半導(dǎo)體停工停產(chǎn)傳言，實(shí)際上公司業(yè)務(wù)都是正常運(yùn)轉(zhuǎn)。
2024-08-01三相整流橋堆內(nèi)置6顆芯片，電流檔包含15A、25A、35A、50A，電壓覆蓋600V-1600V，具有正向壓降低、反向漏電流小、浪涌能力強(qiáng)等特點(diǎn)。
2024-07-23揚(yáng)杰科技3GBJ三相插件整流橋堆發(fā)布，DG15NA120，DG25NA120，DG35NA120，DG50NA120，揚(yáng)杰深度IDM模式，自有晶圓設(shè)計(jì)及制造工廠，內(nèi)部封裝Photo Glass工藝芯片，三層鈍化..
2024-07-22Wi-Fi 7加速發(fā)酵 芯片業(yè)大量備貨迎旺季成長(zhǎng)，今年下半Wi-Fi 7的整體出貨比重就會(huì)快速攀升，為營(yíng)運(yùn)帶來(lái)顯著的正面效應(yīng)。
2024-07-13揚(yáng)杰科技推出用于光伏微逆、工業(yè)電源、服務(wù)器電源的SJ 超結(jié)MOSFET，YJN48C60HJ JYJT33C60HJ產(chǎn)品采用深溝槽技術(shù)與多層外延技術(shù)制造，具有較低的導(dǎo)通電阻Rds和柵極電荷Qg，明顯降低導(dǎo)..
2024-07-11DGZ50N65CTS2A DGZ50N65CTH2A，650V 50A主流IGBT產(chǎn)品，針對(duì)不同應(yīng)用提供Si以及SiC混合封裝產(chǎn)品。歡迎了解！
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