在現(xiàn)代電子設備中，電磁干擾（EMI）是一個不容忽視的問題。隨著電子產(chǎn)品的日益復雜和集成度的提高，EMI問題日益凸顯，對產(chǎn)品的性能和穩(wěn)定性構(gòu)成了挑戰(zhàn)。超結(jié)MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）作為一種先進的功率半導體器件，因其獨特的結(jié)構(gòu)和性能，在改善EMI方面展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢。本文將探討Semihow超結(jié)MOS如何有效改善EMI。

超結(jié)MOSFET技術(shù)概述

超結(jié)MOSFET，又稱為Super Junction MOSFET或CoolMOS，是一種結(jié)合了溝槽工藝和多層外延工藝的新型功率MOSFET。相較于傳統(tǒng)VDMOS（Vertical Double-Diffused MOS），超結(jié)MOSFET通過在外延層中交替形成高阻的n型區(qū)和p型區(qū)，顯著降低了單位面積的特征電阻，從而減少了通態(tài)功耗和開關(guān)損耗。此外，超結(jié)MOSFET還具備更高的開關(guān)速度和更低的能耗，是高壓、大功率應用中的理想選擇。

Semihow超結(jié)MOSFET改善EMI的機制

Semihow與三星半導體合作開發(fā)的超結(jié)MOSFET產(chǎn)品，采用多層外延工藝，相比溝槽工藝，多層外延在EMI抑制方面表現(xiàn)出色。具體機制如下：

1. 多層外延結(jié)構(gòu)減少寄生電容

多層外延工藝通過在外延層中多次掩刻和摻雜，形成了復雜的n型和p型交替區(qū)域。這種結(jié)構(gòu)不僅降低了特征電阻，還顯著減少了寄生電容。寄生電容是EMI的主要來源之一，因為它會在開關(guān)過程中產(chǎn)生高頻噪聲。超結(jié)MOSFET較小的寄生電容能有效降低開關(guān)損耗，提高開關(guān)速度，同時減少EMI的產(chǎn)生。

2. 內(nèi)置ESD保護二極管

Semihow超結(jié)MOSFET產(chǎn)品內(nèi)置了ESD（靜電放電）保護二極管。這種二極管在器件受到靜電沖擊時，能夠提供有效的保護路徑，將靜電電荷迅速釋放，從而避免對器件造成損壞。同時，內(nèi)置ESD保護二極管還能提高浪涌的穩(wěn)定性和靜電的可靠性，進一步減少由靜電放電引起的EMI。

3. 優(yōu)化的開關(guān)特性

超結(jié)MOSFET由于具有較低的柵電容和較快的開關(guān)速度，在開關(guān)過程中產(chǎn)生的dV/dt和dI/dt較小，這有助于減少通過器件和印刷電路板中的寄生電容電感產(chǎn)生的高頻噪聲。此外，Semihow通過精確控制制造工藝，確保了產(chǎn)品的開關(guān)特性一致性和穩(wěn)定性，進一步減少了EMI的產(chǎn)生。

應用實例與市場反饋

Semihow的超結(jié)MOSFET產(chǎn)品已在多個領(lǐng)域得到廣泛應用，包括三星、LG、華為、飛利浦、中興等知名企業(yè)的產(chǎn)品中。特別是在快充、電源、照明、顯示器等市場領(lǐng)域，Semihow的超結(jié)MOSFET憑借其優(yōu)異的EMI性能和穩(wěn)定的品質(zhì)，贏得了客戶的廣泛認可。

例如，HCD70R600超結(jié)MOSFET是Semihow與三星半導體合作開發(fā)的一款產(chǎn)品，導阻僅為0.6Ω，采用多層外延工藝，在快充及PD應用上EMI表現(xiàn)優(yōu)秀。同時，該產(chǎn)品內(nèi)置ESD二極管，防靜電能力好，并擁有全球優(yōu)秀的晶圓生產(chǎn)品質(zhì)管控體系支持。

結(jié)論

Semihow超結(jié)MOSFET通過多層外延工藝和內(nèi)置ESD保護二極管等先進技術(shù)，有效改善了EMI問題。這種器件在高壓、大功率應用中展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢，不僅提高了產(chǎn)品的性能和穩(wěn)定性，還滿足了現(xiàn)代電子設備對電磁兼容性的嚴格要求。隨著技術(shù)的不斷進步和應用領(lǐng)域的不斷拓展，Semihow超結(jié)MOSFET將在更多領(lǐng)域發(fā)揮重要作用，推動電子產(chǎn)業(yè)的持續(xù)發(fā)展。