目前，以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代半導(dǎo)體受到廣泛的關(guān)注，人們對(duì)SiC在新能源汽車、電力能源等大功率、高溫、高壓場(chǎng)合，以及GaN在快充領(lǐng)域的應(yīng)用前景寄予厚望，學(xué)術(shù)界、投資界和產(chǎn)業(yè)界都認(rèn)可其將..
2021-02-03虹揚(yáng)推出39A650V，70A650VN溝道MOSFET
2021-01-19虹揚(yáng)一級(jí)代理商：東莞市美瑞電子有限公司為您介紹橋堆：全橋由四只二極管組成，有四個(gè)引出腳。兩只二極管負(fù)極的連接點(diǎn)是全橋直流輸出端的“正極”，兩只二極管正極的連接點(diǎn)是全橋直流輸出端的“負(fù)極”。貼片橋堆的推出背景：隨..
2021-01-04一、mos雪崩失效分析(電壓故障) 什么是mos雪崩失效？簡(jiǎn)而言之，雪崩故障(電壓故障)，即我們常說(shuō)的泄漏源之間的BVdss電壓超過(guò)mos的額定電壓，超過(guò)一定的能力，mos故障。mos在電源板上由母線電壓..
2020-12-26為支持園區(qū)重點(diǎn)項(xiàng)目建設(shè)，2018年，和懋半導(dǎo)體（四川）有限公司（統(tǒng)懋半導(dǎo)體四川生產(chǎn)公司）與遂寧經(jīng)開區(qū)光電產(chǎn)業(yè)園園區(qū)簽訂搬遷協(xié)議，整廠搬遷至西寧片區(qū)臺(tái)商工業(yè)園，并投資新項(xiàng)目。2020年2月8日，該項(xiàng)目正式進(jìn)場(chǎng)施工..
2020-12-23mos管的參數(shù)很多，包括直流參數(shù)、交流參數(shù)和極限參數(shù)，但在一般運(yùn)用中，飽和泄漏電流IDSS切斷電壓Up，打開電壓UT、跨導(dǎo)gm、漏源擊穿電壓BUDS、極限消耗散功率PDSM和極限泄漏源電流IDSM。 一、..
2020-12-19虹揚(yáng)發(fā)展科技股份有限公司主要致力于整流二極管和橋式整流器的產(chǎn)品開發(fā)，制造和銷售。包括：整流二極管，橋式整流器，車用二極管，小信號(hào)二極管，虹揚(yáng)擁有齊全的整流二極管產(chǎn)品組合，可提供最及時(shí)的整體性解決方案。1989年..
2020-12-15近日，德國(guó)慕尼黑和美國(guó)新罕布什爾州哈德遜訊—英飛凌科技股份公司（FSE:IFX/OTCQX:IFNNY）與GTAdvancedTechnologies（GTAT）已經(jīng)簽署碳化硅（SiC）晶棒供貨協(xié)議，合同預(yù)期五..
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