QC快充歷程高通的QC快充協(xié)議從面世到現(xiàn)在已經(jīng)從1.0發(fā)展到4.0+了。QC4.0：提升功率至28W，加入U(xiǎn)SBPD支持。取消了12V電壓檔，5V最大可輸出5.6A，9V最大可輸出3A，電壓檔細(xì)分以20mV為一..
2021-07-27臺(tái)灣虹揚(yáng)持續(xù)推出ESD、ESDArray新品!封裝包含SOD-323/SOD-523/DFN1006/DFN0603/DFN2510/DFN1610-6L，詳細(xì)規(guī)格資訊請(qǐng)見附檔
2021-07-26MOSFET特性的溫度依賴性MOS的閾值電壓VT隨溫度降低。另一方面，遷移率μn隨溫度降低，決定Ron的所有主要因素中，Ron隨著溫度升高。例如μn(125℃)大約是μn(25℃)的0.5倍，因此Ron會(huì)翻倍。..
2021-07-17MOSFET的開關(guān)損耗一個(gè)功率MOSFET可以實(shí)現(xiàn)的最大開關(guān)頻率依賴于開關(guān)損耗。每個(gè)脈沖周期的能量損耗就像其他器件一樣是可以估算的，可通過在開通和關(guān)斷過程中對(duì)V(t)和i(t)的乘積進(jìn)行積分計(jì)算。在開通期間，可..
2021-07-16MOSFET的基本工作原理對(duì)MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）的基本結(jié)構(gòu)，要理解MOSFET的功能，或許要首先研究一下半導(dǎo)體表面。由于缺乏相鄰的原子，某種半導(dǎo)體的表面總是其理想晶格的一種被擾亂的形態(tài)。..
2021-07-16肖特基二極管的命名： 肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士（Schottky）命名的， 完整的叫法是：肖特基整流二極管（SchottkyRecTIfierDiode縮寫成SR）， 也有人叫做：肖特基勢(shì)壘二極..
2021-07-12中芯國(guó)際表示，目前集成電路芯片制造供不應(yīng)求。公司2021年一季度整體產(chǎn)能利用率達(dá)到98.7%。根據(jù)公司今年的CAPEX支出計(jì)劃，擬擴(kuò)建1萬片12英寸和4.5萬片8英寸晶圓的產(chǎn)能，以滿足更多的客戶需求。中芯國(guó)際指..
2021-07-12根據(jù)集邦咨詢（TrendForce）發(fā)布的最新報(bào)告，2020年第一季受到新冠肺炎疫情沖擊，因各國(guó)邊境管制與封城措施使整體供應(yīng)鏈出現(xiàn)斷鏈情況，不論是客戶及分銷商庫存均偏低。第二季隨著供應(yīng)鏈逐步恢復(fù)供給，加上各國(guó)持..
2021-07-12Tel: +86-769-21665206
Fax: +86-769-21665256
網(wǎng)址：ypjmc.cn
總部地址:廣東省東莞市萬江街道華爾泰路2號(hào)五盈科技園5棟3樓
經(jīng)營(yíng)產(chǎn)品：碳化硅器件、IGBT單管、IGBT模塊、肖特基/整流橋堆、低壓MOS、超結(jié)MOS管
版權(quán)所有：Copyright ? 2019 東莞市美瑞電子有限公司 粵ICP備19137317號(hào)版權(quán)所有 模仿必究
