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泰科天潤發(fā)布1200V SiC MOSFET、2000V SiC單管和650V SiC混合單管新品

泰科天潤發(fā)布1200V SiC MOSFET、2000V SiC單管和650V SiC混合單管新品

產(chǎn)品詳情

慕尼黑上海電子展 (Electronica China)圓滿收官。泰科天潤在此次展會上正式發(fā)布1200V 80mΩ SiC MOSFET、2000V系列產(chǎn)品和650V60A混合單管新品,吸引了國內(nèi)外客戶及行業(yè)人士的廣泛關(guān)注。


第一款:泰科天潤1200V 80mΩ SiC MOSFET

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具有更低的導(dǎo)通電阻,更低的開關(guān)損耗,更高的開關(guān)頻率,更高的工作溫度,Vth典型值超過3V。應(yīng)用場景:光伏、OBC、UPS及電機驅(qū)動等。


第二款:泰科天潤650V60A混合單管(Si IGBT+SiC diode)

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可大幅降低IGBT的開關(guān)損耗,提高效率,降低溫升。


第三款:2000V系列產(chǎn)品

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適用1500V光伏系統(tǒng),高效率,更可靠。


關(guān)于泰科天潤:

泰科天潤半導(dǎo)體科技(北京)有限公司成立于2011年,是中國碳化硅(SiC)功率器件產(chǎn)業(yè)化的倡導(dǎo)者之一,致力于中國半導(dǎo)體功率器件制造產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,并提供優(yōu)質(zhì)的半導(dǎo)體功率器件產(chǎn)品和專業(yè)服務(wù)??偛孔溆诒本瑩碛泻弦粭l年產(chǎn)6萬片/6英寸SiC半導(dǎo)體晶圓生產(chǎn)線,2023年底擴產(chǎn)至年產(chǎn)10萬片。公司2023年年初北京8寸線動工,預(yù)計2025年實現(xiàn)年產(chǎn)10萬片/8英寸SiC半導(dǎo)體晶圓。泰科天潤產(chǎn)品已經(jīng)批量應(yīng)用于PC電源、光伏逆變器、充電模塊、OBC、DC-DC等領(lǐng)域。 質(zhì)量資質(zhì):ISO9001 / IATF16949 / RoHS / REACH/UL / DNV·GL / USCG / AEC-Q101等,產(chǎn)品質(zhì)量完全可以比肩國際同行業(yè)的先進水平。



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