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揚杰IGBT單管產(chǎn)品系列

產(chǎn)品參數(shù): 產(chǎn)品選型報價送樣咨詢請電話聯(lián)系聯(lián)系人：曾先生 153-3800-0102

產(chǎn)品詳情

揚杰IGBT單管
Product Name	Package	VCES _Min(V)	IC @ TC=80℃(A)	VCE(sat) _Typ(V)	Eon+Eoff typ. Tj=125℃ （mJ）	Rth(j-c) _Max((℃/W)
DGB15N65CTL0	TO-263	650	15	1.4	0.65	1.35
DGB20N65CTL0	TO-263	650	20	1.6	0.83	1.25
DGF10N65CTL0	TO-220F	650	10	1.4	0.71	4.8
DGF15N65CTL0	TO-220F	650	15	1.4	0.65	4.4
DGF20N65CTL0	TO-220F	650	20	1.6	0.83	4
DGL50N120CTL0D	TO-264	1200	50	1.8	11.64	0.3
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DGQ100N65CTL1D	TO 247 plus	650	100	1.25	7.2	0.35
DGQ100N65CTS1D	TO 247 plus	650	100	1.35	5.5	0.35
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DGZC75N65CTS2A	TO-247-4L	650	75	1.45	3.86	0.35

揚杰IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種功率半導體器件，它結(jié)合了雙極型（BJT）和場效應晶體管（FET）的特性。

IGBT單管在現(xiàn)代電力電子和功率電子領(lǐng)域中被廣泛應用，因為它具有高效率、高速度和高功率密度等優(yōu)點。

IGBT單管的核心是一個PNP結(jié)構(gòu)的雙極型晶體管，其控制端有一個與之隔絕的柵極。這個柵極可以通過施加電壓來控制電流的流動，

從而實現(xiàn)對器件的開關(guān)控制。因為柵極與電流隔離，所以它具有場效應晶體管的高輸入阻抗特性，同時也具有雙極型晶體管的高電流驅(qū)動能力。

IGBT單管的主要優(yōu)點包括：

高效率：IGBT單管的導通壓降較低，因此能夠減少功率損耗，提高系統(tǒng)的效率。
高速度：由于具有FET的控制特性，IGBT單管的開關(guān)速度較快，適用于高頻應用。
高功率密度：IGBT單管具有較高的功率密度，可以實現(xiàn)在小尺寸器件中傳輸大功率。
可靠性高：相對于其他功率器件，IGBT單管具有較高的可靠性和穩(wěn)定性，適用于各種工作環(huán)境。

總的來說，IGBT單管在工業(yè)、交通、能源等領(lǐng)域扮演著重要的角色，為各種功率電子應用提供了高效、可靠的解決方案。

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碳化硅二極管的介紹 2023-04-23

揚杰IGBT單管
Product Name	Package	VCES _Min(V)	IC @ TC=80℃(A)	VCE(sat) _Typ(V)	Eon+Eoff typ. Tj=125℃ （mJ）	Rth(j-c) _Max((℃/W)
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揚杰IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種功率半導體器件，它結(jié)合了雙極型（BJT）和場效應晶體管（FET）的特性。

IGBT單管在現(xiàn)代電力電子和功率電子領(lǐng)域中被廣泛應用，因為它具有高效率、高速度和高功率密度等優(yōu)點。

IGBT單管的核心是一個PNP結(jié)構(gòu)的雙極型晶體管，其控制端有一個與之隔絕的柵極。這個柵極可以通過施加電壓來控制電流的流動，

IGBT單管的主要優(yōu)點包括：

高效率：IGBT單管的導通壓降較低，因此能夠減少功率損耗，提高系統(tǒng)的效率。
高速度：由于具有FET的控制特性，IGBT單管的開關(guān)速度較快，適用于高頻應用。
高功率密度：IGBT單管具有較高的功率密度，可以實現(xiàn)在小尺寸器件中傳輸大功率。
可靠性高：相對于其他功率器件，IGBT單管具有較高的可靠性和穩(wěn)定性，適用于各種工作環(huán)境。

總的來說，IGBT單管在工業(yè)、交通、能源等領(lǐng)域扮演著重要的角色，為各種功率電子應用提供了高效、可靠的解決方案。

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