碳化硅二極管可以在更高的頻率下工作，并且在相同的頻率下具有更高的效率。此外，碳化硅二極管也具有正的溫度系數(shù)，并且電阻隨著溫度的升高而逐漸增大，這與硅FRD正好相反。這使得碳化硅二極管非常適合并聯(lián)連接，并提高了系統(tǒng)的安全性和可靠性。碳化硅二極管是一種集高壓、高速、低功耗和耐高溫于一體的理想器件。目前，世界上已成功開發(fā)出多種碳化硅器件。碳化硅SBD作為一種零恢復二極管，極大地改善了高頻電源電路。碳化硅二極管獨特的高溫特性使其在高溫環(huán)境下的電源應用中具有潛在優(yōu)勢。

　　碳化硅二極管更像是理想的開關，而不是PN結器件。肖特基二極管的兩個最重要的性能指標是它們的低反向恢復電荷(Qrr)和恢復軟化系數(shù)。碳化硅二極管也優(yōu)于PN結器件，因為它們具有低正向導通電壓和低導通損耗。碳化硅二極管也有兩個缺點。首先，反向耐受電壓VR相對較低，通常只有大約100伏；其次，反向漏電流IR相對較大。

　　碳化硅二極管的恢復時間短，溫度對開關行為影響不大。標準工作溫度范圍為-55℃-175℃，更加穩(wěn)定，大大降低了對散熱器的要求。碳化硅二極管的主要優(yōu)點是開關速度極快，沒有反向恢復電流。與硅器件相比，它可以大大降低開關損耗，實現(xiàn)出色的能效。更快的開關速度也使制造商能夠減小電磁線圈和相關無源元件的尺寸，從而提高組裝效率，減輕系統(tǒng)重量并降低材料成本。

　　碳化硅二極管具有高導熱率，能有效提高功率密度。導熱系數(shù)越高，材料向環(huán)境傳熱的能力越強，器件的溫升越小，越有利于提高功率器件的功率密度，因此更適合在高溫環(huán)境下工作。碳化硅二極管的高擊穿場強提高了耐壓并減小了尺寸，高電子擊穿場強提高了半導體功率器件的擊穿電壓。同時，由于電子擊穿場強的增加，在增加雜質穿透密度的情況下，可以減小碳化硅二極管功率器件漂移區(qū)的寬帶，從而可以減小功率器件的尺寸。

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