中芯國際新增多條專利信息，其中一條發(fā)明專利名稱為“晶圓的清洗方法”，公開號為CN111584340B，法律狀態(tài)為已獲授權(quán)。

專利摘要顯示，一種晶圓的清洗方法，包括以下步驟：提供晶圓；清洗所述晶圓表面，清洗后的所述晶圓表面呈正電性，晶圓表面殘留物具有負(fù)電性；調(diào)節(jié)所述晶圓表面電性或所述殘留物的電性，使所述晶圓表面和所述殘留物的呈相同電性；對所述晶圓表面進(jìn)行干燥，去除所述殘留物。根據(jù)同性相斥的原理，經(jīng)過調(diào)節(jié)后所述殘留物與所述晶圓表面電性相同，因此所述殘留物不會粘附在所述晶圓的表面，而是懸浮在晶圓表面的液膜內(nèi)。在后續(xù)的干燥過程中，懸浮在液膜內(nèi)的殘留物會隨著液膜一起被去除，提高了產(chǎn)品良率。

中芯國際指出，目前在半導(dǎo)體器件的的制造工藝中，經(jīng)常會在具有疊層結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件表面上形成凸凹不平的結(jié)構(gòu)，通常使用化學(xué)機(jī)械研磨（CMP）工藝平整凸凹不平的表面?；瘜W(xué)機(jī)械研磨亦稱為化學(xué)機(jī)械拋光，是目前機(jī)械加工中唯一可以實(shí)現(xiàn)表面全局平坦化的技術(shù)。化學(xué)機(jī)械研磨工藝中，一般是把芯片放在旋轉(zhuǎn)的研磨墊（pad）上，再加一定的壓力，使用含有拋光顆粒（例如SiO顆粒）的研磨液（slurry），在化學(xué)腐蝕與磨削移除的交互作用下進(jìn)行平坦化。在化學(xué)機(jī)械研磨工藝之后，研磨液中的顆粒成為缺陷微粒存在于晶圓表面，因此必須從晶圓表面完全除去才能保持半導(dǎo)體器件的可靠性和生產(chǎn)線的清潔度。鑒于此，實(shí)有必要提出一種晶圓的清洗方法，以提升清洗效果，從而提高產(chǎn)品的良率。