穩(wěn)壓二極管的結(jié)構(gòu)與普通二極管相同,并且還有一個PN結(jié)。由于不同的制造工藝,當PN結(jié)處于反向擊穿狀態(tài)時,PN結(jié)不會被損壞(普通二極管的PN結(jié)會被損壞),當使用穩(wěn)壓二極管來穩(wěn)定電壓時,利用這種擊穿特性。通常,當..
2020-05-06與PN結(jié)器件相比,碳化硅二極管更像是一種理想的開關(guān)。肖特基二極管最重要的兩個性能指標是其低反向恢復(fù)電荷(Qrr)和恢復(fù)軟化系數(shù)。當二極管電壓變?yōu)榉聪蚱脮r,低Qrr大大縮短了關(guān)斷過程所需的時間,即反向恢復(fù)時..
2020-04-27肖特基二極管是一種低功耗、超高速的半導體器件。它的反向恢復(fù)時間非常短(可以小到幾納秒),正向?qū)妷航祪H為0.4V左右.大多數(shù)用作高頻、低壓、大電流整流二極管、續(xù)流二極管和保護二極管。它們也用作微波通信電路..
2020-04-22穩(wěn)壓二極管伏安特性曲線的正向特性與普通二極管相似,反向特性是反向電壓低于反向擊穿電壓時,反向電阻大,反向漏電流極小。然而,當反向電壓接近反向電壓的臨界值時,反向電流突然增加,這被稱為擊穿。在這個臨界擊穿點,..
2020-04-20lowvf肖特基二極管是一種正向壓降比普通肖特基二極管低的半導體器件。它可以理解為性能更好、壓降更低的升級肖特基二極管。因此,lowvf肖特基二極管的壓降越低,效率越高。因此,電壓降越低,發(fā)熱越低,lowv..
2020-04-16碳化硅早在1842年就被發(fā)覺了,但因其制取時的加工工藝難度系數(shù)大,而且元器件的產(chǎn)出率低,造成了價錢較高,這危害了它的運用。直至1955年,生長發(fā)育高質(zhì)量碳化硅的方式出現(xiàn)推動了碳化硅二極管原材料的發(fā)展趨勢,在..
2020-04-13穩(wěn)壓二極管是一種穩(wěn)定電路工作電壓的二極管。由于其特殊的內(nèi)部結(jié)構(gòu),適合反向擊穿。只要電流有限,這種擊穿是非破壞性的。此時,盡管流經(jīng)穩(wěn)壓二極管的電流在很大范圍內(nèi)變化,但穩(wěn)壓二極管兩端的電壓幾乎不變,并保持穩(wěn)定。..
2020-04-10