肖特基二極管是以其發(fā)明者肖特基博士的名字命名的，SBD是肖特基二極管(SBD)的簡稱。SBD不是利用P型半導體和N型半導體接觸形成PN結(jié)的原理，而是利用金屬-半導體接觸形成金屬-半導體結(jié)的原理。因此，SBD..
2020-05-08穩(wěn)壓二極管的結(jié)構(gòu)與普通二極管相同，并且還有一個PN結(jié)。由于不同的制造工藝，當PN結(jié)處于反向擊穿狀態(tài)時，PN結(jié)不會被損壞(普通二極管的PN結(jié)會被損壞)，當使用穩(wěn)壓二極管來穩(wěn)定電壓時，利用這種擊穿特性。通常，當..
2020-05-06與PN結(jié)器件相比，碳化硅二極管更像是一種理想的開關。肖特基二極管最重要的兩個性能指標是其低反向恢復電荷(Qrr)和恢復軟化系數(shù)。當二極管電壓變?yōu)榉聪蚱脮r，低Qrr大大縮短了關斷過程所需的時間，即反向恢復時..
2020-04-27肖特基二極管是一種低功耗、超高速的半導體器件。它的反向恢復時間非常短(可以小到幾納秒)，正向?qū)妷航祪H為0.4V左右.大多數(shù)用作高頻、低壓、大電流整流二極管、續(xù)流二極管和保護二極管。它們也用作微波通信電路..
2020-04-22穩(wěn)壓二極管伏安特性曲線的正向特性與普通二極管相似，反向特性是反向電壓低于反向擊穿電壓時，反向電阻大，反向漏電流極小。然而，當反向電壓接近反向電壓的臨界值時，反向電流突然增加，這被稱為擊穿。在這個臨界擊穿點，..
2020-04-20lowvf肖特基二極管是一種正向壓降比普通肖特基二極管低的半導體器件。它可以理解為性能更好、壓降更低的升級肖特基二極管。因此，lowvf肖特基二極管的壓降越低，效率越高。因此，電壓降越低，發(fā)熱越低，lowv..
2020-04-16碳化硅早在1842年就被發(fā)覺了，但因其制取時的加工工藝難度系數(shù)大，而且元器件的產(chǎn)出率低，造成了價錢較高，這危害了它的運用。直至1955年，生長發(fā)育高質(zhì)量碳化硅的方式出現(xiàn)推動了碳化硅二極管原材料的發(fā)展趨勢，在..
2020-04-13穩(wěn)壓二極管是一種穩(wěn)定電路工作電壓的二極管。由于其特殊的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，適合反向擊穿。只要電流有限，這種擊穿是非破壞性的。此時，盡管流經(jīng)穩(wěn)壓二極管的電流在很大范圍內(nèi)變化，但穩(wěn)壓二極管兩端的電壓幾乎不變，并保持穩(wěn)定。..
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