揚(yáng)杰科技的IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極型晶體管）模塊系列產(chǎn)品定位中高端，主要運(yùn)用于工業(yè)變頻、伺服、光伏儲(chǔ)能充電樁、新能源汽車(chē)等多個(gè)領(lǐng)域。以下是對(duì)揚(yáng)杰IGBT模塊的詳細(xì)介紹：

一、產(chǎn)品系列與封裝

揚(yáng)杰科技的IGBT模塊產(chǎn)品系列豐富，主要包括：

1. 中低頻系列C3模塊：具有C3（45mm）封裝外形，電壓等級(jí)為1200V，電流涵蓋150A~200A，主要用于變頻器、伺服等高頻應(yīng)用領(lǐng)域。

2. 高頻系列模塊：

   • C1封裝：尺寸為34mm，電壓等級(jí)1200V，電流范圍40A~300A，主要用于工業(yè)焊機(jī)、感應(yīng)加熱、電磁爐等高頻應(yīng)用領(lǐng)域。

   • C2封裝：尺寸為62mm，同樣具有1200V的電壓等級(jí)和40A~300A的電流范圍。

3. 變頻器系列模塊：涵蓋C1、C2、E1/E1A、E2/E2A、P2、P3等多款封裝外形，電壓等級(jí)為1200V，電流涵蓋10A~300A，主要用于工業(yè)變頻器，也適用于伺服控制器、電源應(yīng)用等領(lǐng)域。

二、產(chǎn)品特點(diǎn)

1. 高結(jié)溫：部分產(chǎn)品最高結(jié)溫Tjmax可達(dá)175℃，提高了器件的可靠性和使用壽命。

2. 低損耗：具有低Vce(sat)和低關(guān)斷損耗，適合中低頻和高頻應(yīng)用，有助于減少工作損耗和提高效率。

3. 優(yōu)秀的二極管特性：續(xù)流二極管具有超快速和軟恢復(fù)特性，提高了電路的穩(wěn)定性和性能。

4. 高短路支撐能力：具有高短路支撐電流能力（10us以上），增強(qiáng)了器件在短路情況下的保護(hù)能力。

5. 環(huán)保材料：IGBT產(chǎn)品采用環(huán)保物料，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，有利于環(huán)境保護(hù)和可持續(xù)發(fā)展。

三、應(yīng)用領(lǐng)域

揚(yáng)杰科技的IGBT模塊廣泛應(yīng)用于多個(gè)領(lǐng)域，包括但不限于：

1. 工業(yè)變頻：用于驅(qū)動(dòng)電機(jī)和控制設(shè)備，實(shí)現(xiàn)節(jié)能和調(diào)速功能。

2. 伺服系統(tǒng)：在自動(dòng)化和機(jī)器人領(lǐng)域，用于精確控制電機(jī)的位置和速度。

3. 光伏儲(chǔ)能充電樁：在新能源領(lǐng)域，用于將太陽(yáng)能轉(zhuǎn)化為電能，并存儲(chǔ)在電池中，同時(shí)支持電動(dòng)汽車(chē)的快速充電。

4. 新能源汽車(chē)：在電動(dòng)汽車(chē)和混合動(dòng)力汽車(chē)中，用于驅(qū)動(dòng)電機(jī)和控制系統(tǒng)，提高能效和續(xù)航里程。

綜上所述，揚(yáng)杰科技的IGBT模塊具有廣泛的應(yīng)用前景和市場(chǎng)需求。如需更多信息，歡迎聯(lián)系我們。