VDMOSFET（平面MOS）全稱垂直型雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（Vertical Double-diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor），它具有高輸入阻抗，開關(guān)速度快，熱穩(wěn)定性好等優(yōu)點(diǎn)，同時具有正溫度系數(shù)和良好的電流自調(diào)節(jié)能力。

維安VDMOS的產(chǎn)品優(yōu)勢及特點(diǎn)

在VDMOSFET的設(shè)計中，維安重點(diǎn)優(yōu)化耐壓和導(dǎo)通電阻的矛盾，提高耐壓并兼顧低導(dǎo)通電阻；同時降低Qg及開關(guān)損耗。維安VDMOSFET通過優(yōu)化設(shè)計提高雪崩耐量、拓寬安全工作區(qū)進(jìn)而提高通用性和耐用性。針對工業(yè)控制等高可靠應(yīng)用場景，維安開發(fā)高質(zhì)量的氮化硅鈍化層工藝，顯著提高器件的可靠性。

依托維安成熟的電源及工業(yè)控制客戶群，維安開發(fā)了200V-1500V的VDMOSFET產(chǎn)品，電流涵蓋2A~40A，封裝涵蓋TO-251，TO-252，TO-262，TO-220/F，TO-247，TO-3PF等；

VDMOS被廣泛應(yīng)用于適配器、LED驅(qū)動電源、TV電源、工業(yè)控制、電機(jī)調(diào)速、音頻放大、高頻振蕩器、不間斷電源、節(jié)能燈、逆變器等各個領(lǐng)域。

維安MOS管-功率半導(dǎo)體作為電力系統(tǒng)的重要組成部分，是提升能源效率的決定性因素之一。未來維安會結(jié)合客戶應(yīng)用開發(fā)更多的VDMOS新規(guī)格、新封裝；比如高壓300V，400V快恢復(fù)系列等規(guī)格。為客戶提供更多選擇，以在高性能效率轉(zhuǎn)換、高可靠應(yīng)用場合實(shí)現(xiàn)效率、功率密度和可靠性的最佳組合。